薄膜铌酸锂刻蚀深度误差原始数据

薄膜铌酸锂器件是光电子集成关键组件，面向光通信等应用需求。其加工基于半导体微纳工艺，涵盖薄膜制备、光刻、刻蚀等流程。加工良率受薄膜质量、光刻精度、刻蚀均匀性等因素影响。其中刻蚀深度误差是工艺稳定性以及工艺水平的关键体现，其在产业中将直接影响着产品的良率与器件性能的劣化程度，是工艺指标中关键参数之一。