薄膜铌酸锂刻蚀深度误差原始数据

薄膜铌酸锂器件是光电子集成关键组件，面向光通信等应用需求。其加工基于半导体微纳工艺，涵盖薄膜制备、光刻、刻蚀等流程。加工良率受薄膜质量、光刻精度、刻蚀均匀性等因素影响。其中刻蚀深度误差是工艺稳定性以及工艺水平的关键体现，其在产业中将直接影响着产品的良率与器件性能的劣化程度，是工艺指标中关键参数之一。

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背景与挑战

背景概述

本数据集提供薄膜铌酸锂刻蚀深度误差的原始实验数据，该误差是微纳加工工艺稳定性的关键指标，直接影响光电子集成器件的良率与性能。数据由华中科技大学在薄膜铌酸锂光子集成技术开发项目中生成，共包含11个文件，格式涵盖rar、opj和docx。