微电子所Ag阳离子基选通器件数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=67040a4f195d26231604413e&type=1
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资源简介：
通过石墨烯缺陷工程，可以在一个材料体系中同时实现低工作电流（≈1 μA）的存储器和高驱动电流的（ ≈1 mA）选通器。基于系统的材料分析，CF的直径由石墨烯缺陷的大小来调节。并研究了柔性衬底的基于阳离子的选通器件。展示出优异的双向挥发性TS特性。该数据集记录了基于阳离子的选通器件研制的工艺、电学、仿真等数据。记录了选通器件的阵列工艺，记录里柔性衬底上选通器件的工艺、电学特性能数据。
提供机构：
中国科学院微电子研究所
