电功能可切换磁畴壁存储器

本数据集设计并制备了U形畴壁存储器，通过电流操控畴壁运动，将可重写函数转换为只读函数，实现信息安全。进一步，演示了在4英寸Si/SiO2衬底上的晶圆级可切换磁畴壁存储器阵列。关联发表文章Electrically function-switchable magnetic domain-wall memory [National Science Review 10, nwad093 (2023)]。本数据集中相关成果完成于2023年，相关器件制备、表征和磁、电输运测量都在中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室完成。实验数据采集严格遵循实验规范，以确保数据的高精度和可靠性。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集设计并制备了U形磁畴壁存储器，利用电流精确操控畴壁运动，实现存储器功能从可重写向只读的切换，从而提升信息安全。同时，数据集展示了在4英寸Si/SiO2衬底上制备的晶圆级可切换磁畴壁存储器阵列，相关成果已发表于National Science Review。