n型氧化物半导体与p型氧化物半导体异质集成实验数据

本数据包含非晶氧化物半导体在异构功率集成应用中的潜力、基于p型氧化镍/n型铟镓锌氧化物异质结二极管的CMOS兼容紫外光探测器和压电电子学 N-ITO/P-NiO/N-ZnO 异质结薄膜二极管作为柔性能量收集器三子数据集的研究成果。第一个子数据集，IGZO作为非晶氧化物半导体，在功率集成工作环境下，导通电阻(R_(ON,sp))和击穿电压(BV)的权衡与常用的单晶半导体有很大不同，在一维条件下提取了一个分析模型来解释导通电阻和击穿电压的依赖关系，同时考虑了在二维条件下如何解决迁移率退化问题。第二个子数据集，p-NiO/n-IGZO异质结紫外光电二极管（下称异质结）的工作原理、制作工艺流程；NiO、IGZO薄膜（下称薄膜）的表面结构形貌、晶体结构、XRD衍射模式和异质结的横断面结构；异质结的电流密度-电压转移曲线和迟滞特性的氧缺陷-能带理论解释；异质结的EQE和光谱透射率、光响应动态范围等测试结果。第三个子数据集，包括压电效应P - N异质结二极管的工艺制备流程、XRD晶向测试结果、器件的SEM图像、器件的I-V特性曲线、器件作为能量收集器在轻拍和行走时的峰值负载电压与负载电阻的关系、器件在电容是恒定的，负载电阻变化时和当负载电阻是恒定的，电容变化时，负载电容电压随时间的变化，显示了电容的充电时间和放电时间。包括原始记录数据以及由处理后数据绘制的图像。以上子数据集的内容，对应3篇论文。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于n型与p型氧化物半导体的异质集成实验，包含三个子数据集：非晶氧化物半导体在功率集成中的导通电阻与击穿电压权衡研究、p-NiO/n-IGZO异质结紫外光电二极管的制备工艺与性能测试，以及压电效应异质结二极管作为柔性能量收集器的特性分析。数据来源于相关论文，涵盖原始记录和处理后的图像，支持微电子学和半导体器件技术领域的研究。