低温一体化阱中相干操控的量子比特数目

主要面向离子阱量子计算与量子模拟研究，多离子相干操纵需求建设。基于清华大学蒙民伟科技大楼南楼S210实验室的超低温真空一体化离子阱系统，通过中智科仪Icmos相机曝光并进行离子亮暗态识别产生，并进行量子比特两体关联矩阵计算。主要记录了512离子的相机曝光图像，300离子量子比特的量子模拟实验结果，一体化离子阱CAD设计图。数据量150MB。