薄膜铌酸锂波导与标准单模光纤的单端耦合损耗原始数据

薄膜铌酸锂器件与光纤的耦合损耗是光子集成芯片的主要损耗来源，因此实现较小的单端耦合损耗是降低薄膜铌酸锂芯片整体损耗的关键，更利于薄膜铌酸锂芯片的大规模应用及推广。依据所提供的芯片，按照芯片上耦合波导的参数进行芯片与光纤的耦合封装，并对封装好的器件进行耦合测试。本数据集主要包含芯片与光纤之间的耦合损耗数据，统计了同一晶圆片上各个芯片的插损数据 ，并生成最终的良率分布数据。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了薄膜铌酸锂波导与标准单模光纤的单端耦合损耗原始数据，包含同一晶圆片上各芯片的插损统计及良率分布信息，旨在为降低光子集成芯片的耦合损耗提供数据支撑。