IGZO垂直沟道器件电流特性模型测试的数据

由于铟镓锌氧（IGZO）晶体管独特的材料特性优势，其已经被面板显示领域广泛使用，同时新型垂直沟道结构也证明其在动态随机存储器（DRAM）上的应用潜力。然而，垂直沟道IGZO晶体管必要的器件电学特性的解析模型及其数据集仍然匮乏，这妨碍了以垂直沟道IGZO结构为核心的高性能晶体管的设计。针对这一问题，本研究系统地提供了该结构晶体管电流-电压特性物理紧凑模型数据集，旨在解决当前垂直沟道IGZO晶体管器件电学特性模型匮乏、缺乏物理效应分析的核心问题。该数据集涵盖垂直沟道IGZO晶体管关键电学特性数据，具体包括实验测得的垂直沟道IGZO晶体管转移、输出特性数据与解析模型数据的对比，表面电势数据的数值结果与解析模型对比等；同时与实验结果和数值结果的交叉验证，证实了解析模型及其数据集的准确性。该数据集可以为相关器件设计和物理模型研究提供较好的数据支撑。