Si衬底上高质量AlGaN/GaN异质结构材料

GaN基异质结构形成二维电子气的电学性质极大地影响了器件的输出特性和转移特性，而其二维电子气的电学性质与外延生长中的生长调控有着紧密的关联。本成果相关的研究中，我们一方面优化Si衬底GaN缓冲层晶体质量，并且对异质结构生长过程进行了全面的优化研究，最终实现了高面密度，高迁移率的二维电子气，给器件性能表现做了良好的基础。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于在硅衬底上优化AlGaN/GaN异质结构的外延生长过程，旨在通过提升晶体质量实现高面密度和高迁移率的二维电子气，为功率电子器件性能奠定基础。它属于国家重点研发计划项目'Si衬底上GaN垂直和平面结构功率电子器件研究'的组成部分。