SHANNON20240612DATA_RawExp__VirginState_PCM_90nm

NIAID Data Ecosystem2026-05-02 收录

相变存储器

半导体器件

数据链接：

https://zenodo.org/record/11619402 数据链接链接失效反馈

官方服务：

资源简介：

Collection of experimental data performed on virgin-state PCM devices in 90nm technology node by STMicroelectronics.

创建时间：

2024-06-12

Si衬底上高性能GaN增强型功率电子器件制备技术

半导体器件

功率电子

围绕增强型器件能带调控机制、界面态物理与载流子输运机理等关键科学问题，开展高性能Si基GaN功率电子器件以及可靠性机理等研究工作，基于常规的异质结构和ICP刻蚀方法的GaN基增强型器件存在沟道载流子迁移率低、阈值电压不稳定等问题，创新提出AlGaN/GaN/AlGaN/GaN双沟道异质结构，利用氧化结合湿法腐蚀的刻蚀方法选择性去除上层AlGaN势垒层，保留下层的超薄AlGaN势垒，结合栅介质形成增

国家基础学科公共科学数据中心130

Single-Event Effects Induced by Monoenergetic Fast Neutrons in Silicon Power UMOSFETs

半导体器件

粒子辐射效应

The trench gate or U-groove MOSFET (UMOSFET) has become widely adopted as a semiconductor device globally, gradually replacing the traditional double-diffused MOSFET (DMOSFET) in many applications. Ev

DataCite Commons2024-11-12 更新80

高频高功率毫米波光子混频器模块耐受反向偏压数据

半导体器件

测试可靠性

面向高反偏电压工作环境下的模块可靠性设计需求，‌耐受反向偏压是指半导体器件在施加与正常工作方向相反的电压时，仍能保持稳定运行的能力‌，通常用于评估器件的可靠性与稳定性，基于光电探测器反向偏压评估影响模块的可靠性和击穿特性研究。产生方法通过逐步增加反向偏压，测试模块的漏电流、击穿电压等参数，并记录模块是否正常工作。数据内容主要包括了“芯片耐受反向偏压结果.jpg”， “模块耐受反向偏压结果.jpg”

国家基础学科公共科学数据中心80

相变存储器的速度极限

相变存储器

纳米电子器件

系统地展示了不同电极尺寸的 Sb 器件在设定脉冲条件下的电压分布情况，结果如图 3.11 所示。电极尺寸越小，同样脉冲条件下完成 Set 操作所需脉冲电压就越小，如在 10000 ps 条件下，200 nm 器件单元需要 2.9 V，随着器件尺寸减小，电压需要降低至 2.6 V（120 nm）和 2.1 V（60 nm）。这主要是因为 Set 操作主要是相变材料的结晶过程，电极尺寸越小，柱状电极上

国家基础学科公共科学数据中心120

Data for paper: Thin Al1-xGaxAs0.56Sb0.44 diodes with low excess noise

半导体器件

电子工程

The files correspond to experimental results in paper: "Thin Al1-xGaxAs0.56Sb0.44 diodes with low excess noise" published in IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (Volume: 24, Issue:

orda.shef.ac.uk2023-05-30 更新80

SHANNON__20240612__DATA_RawExp__VirginState_PCM_90nm

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