GeSAs选通管
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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本实验均使用时代芯存 45 nm CMOS 工艺制作的以 TiN 为底电极的流片进行电学测试。流片的示意图如图 1a所示，左侧小阵列用于探针台测试，共计12 列，从左向右，底电极直径分别为60nm，120nm，150 nm 和 200 nm，每三列为同一种尺寸，其中的小阵列中包含2个公共电极与 40 个小电极，如图1b所示，而右侧得横向阵列则用于相变存储器高速皮秒测试或是用于器件的电阻温度测试，电极尺寸从上到下分别为60nm、120 nm、150 nm 和 200 nm，从上至下每两行为同一种尺寸。
提供机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集涉及GeSAs选通管，基于45 nm CMOS工艺的TiN底电极流片进行电学测试，包含不同尺寸的电极阵列。数据集由中国科学院上海微系统与信息技术研究所创建，数据量为9.28GB，涵盖486个文件。
以上内容由遇见数据集搜集并总结生成
