P-N结隔离型硅压阻式压力敏感芯片探针测试数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-05-16 收录
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资源简介：
P-N结隔离型硅压阻式压力敏感芯片探针测试数据：本数据集的统计获得时间为2024年7月26日至2025年7月27日。编写地点为中电科芯片技术（集团）有限公司。依据《GBT 28856-2012硅压阻式压力敏感芯片》第7部分：试验方法7.3/7.4/7.5/7.7、《Q/SGD J341-2025 硅基MEMS压力敏感芯片》第7部分：试验方法7.3/7.4/7.5/7.6相关内容进行采集数据。（1）将压力传感器晶圆放入片盒上片；（2）按测试要求完成测试MAP图制作及定位、找平、下针；（3）按测试指标要求完成接线，连接Keithley半导体参数分析仪4200、KeySight数字万用表34461、Keithley源表2410，通过PC端APD软件套件接收采集的数据，并通过PC端软件将采集的数据保存在相应的文件，读取各项测试指标，完成记录。
提供机构：
中电科芯片技术（集团）有限公司
