InSe-GeSe-SnS异质结数据集

最近，通过堆叠不同的二维 (2D) 材料来构建范德华 (vdW) 异质结被认为是获得所需性能的有效策略。本项目中，通过第一性原理计算，我们从理论上发现2D n -InSe/ p -GeSe(SnS) vdW异质结是具有典型II型能带排列的直接带隙半导体，有利于光生电子和空穴对的有效分离。此外，它们具有高光吸收强度（～ 10^5 ）、宽光谱宽度和优异的载流子迁移率（～ 10^3 cm^2 V ^-1 s ^-1 ）。有趣的是，在层间耦合和外部电场的影响下，II型能带排列的特性是稳定的，而带隙值和能带偏移是可调的。这些结果表明，2D n -InSe/ p -GeSe(SnS) 异质结具有优异的光电和传输特性，因此可以成为下一代光电纳米器件的良好候选者。