Filamentary Resistive Switching Mechanism in CuO Thin Film-Based Memristor
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dane powiązane z publikacją: M. Ozga, R. Mroczynski, K. Matus, S. Arabasz, B.S. Witkowski, Filamentary Resistive Switching Mechanism in CuO Thin Film-Based Memristor, Materials 2025, 18(16), 3820
提供机构：
RepOD
创建时间：
2026-01-07
