高性能III-V族窄禁带纳米片生长数据集

本数据集主要对InAs纳米结构的生长机理进行了深入的研究，着重分析了In束流和生长温度对InAs纳米结构的维度调控和晶相调控效应。细致的形貌与成分研究表明，通过精确控制合金催化剂的组分，使Ag-In合金催化剂发生偏析，可以实现从一维纳米线到二维InAs纳米片的维度调控。此外，基于这种全新的维度调控机理，还在Si、GaAs、MgO及蓝宝石等多种衬底上实现了晶圆级高质量二维InAs纳米片的制备。本研究利用催化剂偏析技术实现高质量晶圆级InAs纳米结构的维度调控，为有效控制III-V族半导体的维度提供了一种全新的方法，也为研制高性能立式纳米片电子器件及量子器件提供了基础。