人工插层的具有室温奈尔型斯格明子的面外极化范德瓦尔斯铁磁超晶格数据集

该研究成果发表于《ACS Nano》2025 年期刊，聚焦二维范德华（vdW）材料超晶格的创新设计，旨在突破传统材料垂直方向对称破缺的瓶颈，为自旋电子学器件提供新型拓扑磁性材料。研究通过两步铬（Cr）嵌入与脱嵌法，成功制备出 Cr₁₊ₓTe₂（x=0.2-0.5）面外一维极化范德华铁磁超晶格，其独特（1×1×2）超结构打破垂直镜像对称，产生 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用（DMI）。核心内容包括：材料具有易剥离特性，通过调控 Cr 嵌入比例，在宽温区实现高密度尼尔型斯格明子，尤其达成室温下亚 100nm 尺寸的斯格明子稳定存在，成为首个二元化合物室温奈尔型斯格明子范德华磁体。该成果丰富了二维超晶格家族，为拓扑磁性调控提供新策略，对高性能自旋电子器件研发具有重要意义，相关表征结合了 STEM、LTEM、DFT 计算等多种技术，数据集大小约为2.91 GB。数据集可开放访问。