天津理工大学Cr-Sb2Te3刻蚀工艺数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀集成技术：刻蚀气体的组分和比例，射频功率，工作压强三个主要参数对Cr-SbTe薄膜反应离子刻蚀的影响，优化出较优的刻蚀工艺参数，并基于刻蚀过程中表面组分分析对刻蚀机理进行了探索。
提供机构：
天津理工大学
