天津理工大学Cr-Sb2Te3刻蚀工艺数据

新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀集成技术：刻蚀气体的组分和比例，射频功率，工作压强三个主要参数对Cr-SbTe薄膜反应离子刻蚀的影响，优化出较优的刻蚀工艺参数，并基于刻蚀过程中表面组分分析对刻蚀机理进行了探索。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀集成技术，通过分析刻蚀气体组分、射频功率和工作压强等关键参数对反应离子刻蚀的影响，优化了工艺参数并探索了刻蚀机理。数据来源于国家重点研发计划项目，包含CSV、TIF和OPJ格式的文件。