转角摩尔超晶格的器件转角控制及新奇量子态输运数据集

本数据集面向hBN封装的高质量转角双层-双层石墨烯摩尔超晶格器件，提供其在低温强关联条件下的全套电输运原始测量数据及对应分析结果与图表，用于研究关联增强铁电性及其与半填充关联绝缘态的耦合行为。数据采集时间为2021年1月至2023年5月，本数据集源于hBN封装的转角双层-双层石墨烯摩尔超晶格器件，包含了通过双栅极精准调控获得的电输运原始数据。内容涵盖器件结构，器件光学显微图片，以及四端纵向电阻和霍尔电阻随磁场、载流子密度、垂直位移场、以及温度等不同参数变化的曲线和二维相图。电学测试在最低1.8 K的低温强磁场系统和20mK的极低温强磁场系统中完成，采用锁相放大测量方式（7-21 Hz，3-10nA源漏偏置电流），并通过双栅结构独立调控载流子浓度与位移场。数据集按“论文/图片合集/支撑数据/数据说明”组织，能够支撑复现实验图表、对比不同扫描方向与参数条件下的超晶格带隙和关联带隙的载流子浓度、磁场、温度等响应，完成相关转角参数和新奇量子态等指标的执行。