多比特器件制备一般流程

"多超导量子比特器件制备主要依托中国科学院物理研究所微加工实验室，采用薄膜平面工艺，在优于10-9毫巴超高真空环境下蒸镀金属铝薄膜，采用的是Plassys MBE550S。用激光直写（HEIDELBERG DWL66+）和100kV电子束曝光设备（JOEL JBX-6300FS或Raith EBPG5000）进行图形定义。此外还使用PECVD和ICP-RIE等薄膜沉积和刻蚀设备。 在器件图形设计阶段，采用微波电磁仿真手段对器件个部分进行仿真，以确定参数的准确性。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集详细记录了多超导量子比特器件的制备一般流程，依托中国科学院物理研究所微加工实验室，采用薄膜平面工艺在超高真空环境下蒸镀铝薄膜，并利用激光直写、电子束曝光及薄膜沉积刻蚀设备进行图形定义与加工，同时包含器件图形设计阶段的微波电磁仿真步骤以验证参数准确性。