基于隧穿机理的超陡亚阈摆幅器件的涨落和可靠性

内含1个数据集说明文件，1篇技术报告，3个文件夹，其中（1）论文文件夹，（2）基于隧穿机理的超陡亚阈摆幅器件的涨落特性（其中包含nTFET与pTFET阈值电压、关态电流、开态电流的涨落特性，以及随着器件尺寸、电压的变化情况），（3）基于隧穿机理的超陡亚阈摆幅器件的可靠性（其中TFET与MOS的HCI、BTI退化情况对比，以及随着应力电压、温度和器件尺寸的变化情况，pTFET与pMOS的BTI退化情况对比，以及随着应力电压、温度和器件尺寸的变化情况）。数据来源：实验所用器件制备于北方集成电路创新中心，实验测试于北方集成电路创新中心测试间，采用Keysight 4082F半导体参数分析仪进行涨落和可靠性测试。测试得到的数据经过Origin数据处理软件进行处理并绘制图形。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于基于隧穿机理的超陡亚阈摆幅器件，研究其涨落特性和可靠性，包括阈值电压、关态/开态电流的涨落以及HCI、BTI退化对比等。数据来源于实验测试，采用半导体参数分析仪处理，涉及集成电路低功耗技术，隶属于国家重点研发计划项目。