Sn K-edge XANES spectra

Sn K-edge XANES spectra of GeSn micro-disks and layers. Obtained in the beamline ID16B at the ESRF. Spatial resolution of 100x100 nm^2 Room temperature Energy resolution: 1 eV本数据集包含锗锡（GeSn）微盘与薄膜层的锡（Sn）K边X射线吸收近边结构（XANES）光谱，所有光谱采集自欧洲同步辐射光源（ESRF）的ID16B光束线，测试参数如下：空间分辨率为100×100 nm²，测试环境为室温，能量分辨率为1 eV。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集包含GeSn微盘和层状结构的锡K边XANES光谱，实验在ESRF的ID16B光束线上进行，具有100x100 nm²的空间分辨率和1 eV的能量分辨率，测量在室温下完成。数据集适用于研究GeSn材料的局部电子结构和化学环境，其高分辨率特性支持精确的微观分析。