硅基光电子材料平台核心工艺参数数据集

该数据集主要面向硅基光电子材料生长及设计的研究需求建设，基于中国科学院半导体研究所MBE、UHVCVD、MOCVD设备以及国家纳米科学中心的CVD生长和剥离设备产生，主要记录了2020年12月至2024年11月期间的研究结果，包括3个文件夹。数据总量127.7MB。
1.1-硅基Ge材料穿透位错密度中共有8个文件，主要是硅基Ge材料的外延和测试等数据，数据量3.39MB。
1.2-硅基InAs材料穿透位错密度中共有4个文件，主要是硅基InAs InAsSb材料的外延和测试等数据，数据量934KB。
结题测试大纲及核心工艺第3方测试报告中有2个文件，数据量7.40MB。
GeSnPb/Ge的TEM照片中共有19个文件，数据量116MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集面向硅基光电子材料生长与设计研究，基于MBE、UHVCVD、MOCVD和CVD设备，记录了2020年12月至2024年11月期间的工艺参数，包括硅基Ge和InAs材料的穿透位错密度数据及TEM照片。数据总量为127.7MB，包含35个文件，格式涵盖jpg、TIF、pdf等。