阻变存储器工作电压测试数据集

该数据集为课题1考核指标1.3：阻变存储器工作电压的数据集，采集于2025年01月15日第三方测试的实时数据。本数据集主要关联课题一以下研究内容：阻变存储器工艺制备及电学测试，阻变存储器物性表征及机理研究，以及阻变存储器性能调控和优化。课题通过研究阻变存储器工艺技术和测试方法实现阻变存储器制备及测试表征，进一步通过研究微观机理实现器件性能调控优化，最终成功研制性能指标达到考核要求的阻变存储器。本数据集命名为课题1-003-工作电压，包含RRAM工作电压测试结果照片和原始数据，数据量约为42.1Mb，包含了一个数据集说明文件，JPG格式的图片文件和csv格式的原始数据文件，30个图片文件分别命名为课题1-003-工作电压-图1~图30，40个原始数据文件分别命名为课题1-003-工作电压-图1~图30（一部分命名为了图3-1/图3-2，详见说明文档）。 数据来源：通过KeysightB1500A半导体参数分析仪施加电压，用探针台测试制备的RRAM器件。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集由北京大学提供，是阻变存储器（RRAM）工作电压的第三方测试数据，采集于2025年1月15日，用于验证课题一的考核指标。数据内容涵盖RRAM工作电压测试结果的照片（JPG格式）和原始数据（CSV及DOCX格式），共71个文件，数据量约43.16MB，通过Keysight B1500A半导体参数分析仪和探针台实测获取。