延时线数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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本数据集主要为国家重点研发计划超高品质因子光子集成芯片(2021YFB2801200)有关延迟线的数据。 本数据集基于重庆联合微电子公司开发的低损耗氮化硅工艺加工的氮化硅芯片。延迟线的测试记录延时线芯片生产和延时线芯片测试结果。长的延时线在实际的集成光学中有普遍的应用,也能够验证工艺稳定性。延时线数据量约573MB。
提供机构:
北京大学搜集汇总
数据集介绍

背景与挑战
背景概述
该延时线数据集源自国家重点研发计划“超高品质因子光子集成芯片”项目,基于重庆联合微电子公司低损耗氮化硅工艺加工的芯片,记录了延时线的生产与测试数据。数据集包含8个文件,格式涵盖jpg、pdf、csv、png、m和docx,总数据量约为573.73MB。
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