基于CMOS工艺的阻变存储器阵列比特良率测试数据集

本数据集为课题4考核指标4.3：阻变存储器阵列比特良率。课题4研究基于CMOS 工艺进行阻变存储器材料和工艺技术研究，基于40nm 及以下CMOS 大生产工艺建立阻变存储器及模拟计算芯片制造工艺平台，确定阻变存储器及模拟计算芯片的制造工艺流程和设备选型，实现基于阻变存储器的模拟计算芯片流片验证；研究模拟计算阵列和芯片制造的良率提升及高可靠量产技术，对影响阻变存储器阵列比特良率的关键工艺进行重点优化，推进模拟计算芯片技术的量产应用。
本数据集命名为2020YFB2206004-003-阵列比特良率，数据量约为3.48MB，共包含10个图片和原始数据：图片内容重点显示测试阵列比特良率的机台，使用的晶圆样品，以及测试获得的阵列比特良率结果。