新型SOT-MRAM器件基于零磁场高速写入数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-03-28 收录
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实现新型SOT-MRAM器件在零磁场、含ECC的情况下写入时间不高于1 ns。进行器件级参数读写测试。对器件施加指定的写入脉冲，记录写入脉冲的时间宽度，并进行状态参数的读取。上述步骤重复一定次数与一定数目的器件。
提供机构：
北京大学
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科研交流群
商业服务
实现新型SOT-MRAM器件在零磁场、含ECC的情况下写入时间不高于1 ns。进行器件级参数读写测试。对器件施加指定的写入脉冲，记录写入脉冲的时间宽度，并进行状态参数的读取。上述步骤重复一定次数与一定数目的器件。