基于负电容原理的超陡摆幅新器件Id-Vg测试原始数据

“2018YFB2202802-001-基于负电容原理的超陡摆幅新器件Id-Vg测试原始数据”文件夹的科学数据来自重点研发计划项目“超陡摆幅极低功耗新原理器件及电路”的课题二“基于负电容原理的超陡摆幅新器件技术”执行期间进行基于负电容原理的超陡摆幅新器件PMOSFET器件转移曲线表征的原始数据，对应课题的第三方测试报告中基于负电容原理的超陡摆幅新器件PMOSFET器件工作电压，最小亚阈值摆幅和电压回滞的内容。文件夹包含3个表格，两个图片，7个专利pdf文件。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集来源于国家重点研发计划项目，包含基于负电容原理的超陡摆幅PMOSFET器件的Id-Vg转移特性原始测试数据，涉及工作电压、最小亚阈值摆幅和电压回滞等关键参数。数据集由3个表格、2张图片和7份专利PDF文件组成，共14个文件，数据量约8.52MB。