发现激子拓扑序数据集

在InAs/GaSb双层量子阱中，通过制备场效应管，将电子空穴气调制为密度不平衡的低浓度态，在该状态下，电子空穴配对形成新的激子拓扑序，称为拓扑激子绝缘体。在H型器件中进行非局域的电输运测量，实验探测到了符合激子边缘态的导电行为。通过施加垂直磁场，在磁场增加至最高35T的过程中，激子配对状态被破坏，受拓扑保护的边缘态由激子手性态转变为螺旋态。通过施加平行磁场，发现该系统的体态能隙不随平行磁场的变化而发生改变，说明该激子态具有时间反演对称破缺的特性。借助微纳加工技术，我们在存在拓扑激子绝缘体的H型器件中间劈裂出50nm的空隙，当器件一端施加驱动电流时，电子空穴气中的激子边缘态通过库仑相互作用，在空隙的另一侧中感应形成拖曳电流。库仑拖曳的变温测量揭示了该螺旋边缘态的两支中同时存在反转背散射和直接背散射，并定性描述了两种背散射间的竞争机制，进一步证明拓扑激子绝缘体中的一维边缘态存在狄拉克点。