氧化钒光电研究

在紫外线照射下通过氧化学计量工程对 VO2 薄膜的非异失性多级控制。基于使用紫外线照射和电解质门控对 VO2 薄膜的可逆调节，展示了一种在室温下具有集成传感、存储和处理功能的原理验证神经形态紫外线传感器，并通过晶圆证明了其硅兼容潜力-神经形态传感器阵列的规模集成。该器件显示随着光写入的线性权重更新，因为它的金属相比例几乎随光剂量线性增加。而且，由这种神经形态传感器组成的人工神经网络可以从周围环境中提取紫外线信息，将识别准确率从24%显着提高到93%。这项工作为设计神经形态传感器提供了一条途径，并将促进在人工视觉系统中的潜在应用。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于氧化钒（VO2）薄膜的光电特性研究，通过紫外线照射和氧化学计量工程实现非易失性多级控制，并开发了一种神经形态紫外线传感器。该传感器在室温下具备传感、存储和处理功能，其人工神经网络能显著提升紫外线信息识别准确率，为人工视觉系统应用提供支持。