LiNbO3界面上多级铁电畴壁二极管的内存计算研究

对铌酸锂铁电存储单元的基本特性表征；电畴生长成像分析；对晶体管在不同电学调控下的性质测试；以及在此基础上利用该易失调控和非易失存储特性进行的存内计算的测试数据等。研究了铌酸锂单晶畴壁晶体管，分析晶体管结构中体畴壁的横向运动过程，并采用聚焦离子束（FIB）制备原位偏置铌酸锂TEM样品分析了针状畴的生长过程，通过控制界面层的厚度（及开启电压的大小），观察晶体管的窗口大小，揭示界面层对晶体管窗口电压的影响。研究了栅电压Vg对源漏电流Isd的通断和电流方向的影响，探索基于晶体管结构的反相器功能；利用级联多个二极管构筑的晶体管，探索诸如非门、与非和或非等逻辑门功能，验证非易失性存内计算功能。