物理气相输运法制备2英寸高质量AlN单晶衬底数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-04-04 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=69cd4135f17560281a74acb1&type=1
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资源简介：
数据集包含探究杂质和生长过程对深能级缺陷浓度、能级位置和深紫外吸收特性的影响，明确抑制深紫外吸收过程的方法过程中的模拟仿真数据和表征数据以及AlN单晶衬底的制备包括位错密度、光吸收系数@265nm等关键指标。
提供机构：
奥趋光电技术（杭州）有限公司
