牺牲层材料外延与表征数据集

通过两种方案实现GaN薄膜的转移。第一种方案为引入ZnO层，采用湿刻工艺来进行转移。ZnO和GaN都为六方密堆型晶格结构，晶格常数相近。这样引入ZnO层不会出现由于衬底不匹配而引起较大的晶格失配问题，有利于高质量GaN薄膜的制备。同时ZnO易溶于酸性溶液，可以方便地进行湿法刻蚀操作，将ZnO层溶解，从而实现材料的转移。第二种方案为引入 InGaN层，通过激光剥离的方法来进行转移。在实验中首先制备 InGaN薄膜，通过控制各组分的含量得到禁带宽度约为 2.3 eV 的合金薄膜，然后在合金薄膜上外延生长 GaN 薄膜以及其它材料，外延生长材料的禁带宽度均大于底层 InGaN 合金材料。材料生长完毕后，利用激光波长为 530 nm（光子能量为 2.34 eV）的 Nd:YAG 激光器进行激光剥离操作。这两种转移方法都尽量避免了对异质结的损坏，可以在不破坏表面器件的前提下对器件进行有效的剥离。