一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件

本发明公开了一种单光子源的制备方法及
单光子源和集成光学器件，本发明通过在SiC晶
圆<0001>面形成氧化硅保护层；在氧化硅保护层
上制备掩膜；对SiC晶圆进行离子注入形成缺陷
层；去除掩膜；将注入结构沿氧化硅保护层表面
与另一带介质层的衬底键合；对键合结构退火；
对剥离得到的表面SiC薄膜做后处理，再进行离
子注入的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移
至衬底上，有利于避免注入损伤，有效克服了现
有的SOI工艺制备的SiC薄膜因离子注入缺陷造
成薄膜质量差、无法制备单光子源以及光损耗严
重的问题，得到的单晶SiC薄膜和可控单光子源
阵列具有高均匀性，高质量性，有利于制备高性
能SiC基集成光学器件