全二维场效应晶体管器件的纵向集成的物性调控与电学性能研究

全二维场效应晶体管器件的纵向集成的物性调控与电学性能研究数据，数据类型为文件，数据量共180MB，共享方式为完全共享。该数据集样品表征部分由透射电镜（JEOLJEM-2100F）、光学显微镜（OlympusBX51）实现。输运数据由2019年-2023年在湖南大学低温半导体输运测量系统采集。来源于通过设计器件结构、二维半导体能带结构及半导体异质结等全二维场效应晶体管。数据采集是于2019年-2024年在湖南大学物理与微电子科学学院和半导体学院的低温输运测试平台，该系统工作温区为77K-360K。实验测量时配备多套电学测量时设备，包括锁相放大器、直流源表、示波器、网络分析仪等仪表。样品加载于Lakeshore探针台中，系统通过共同液氮通入及加热部分进行速率可控的降温与升温过程，并且能够很稳定的控制在某一个温度下进行输运测量。电信号的施加采用、输出数据的读取通过Keithley4200和Agilent1500B源表自带的操作系统记录。数据中样品表征部分由场发射透射电镜、扫描电镜（JEOLIT300）进行实现。数据采集时间地点：湖南大学、武汉大学；数据采集时间：2019.9.1-2024.8.31。