低温CMOS器件研制工艺参数

该数据集聚焦于低温 CMOS器件以及低温 CMOS 射频电路设计优化需求而精心建设。在确定低温关键工艺参数时，通过 TCAD 仿真得到的。根据模拟不同温度下器件的关键电学参数（如阈值电压、漏电流、工作电流、亚阈值摆幅等）随相关低温优化工艺参数的变化结果，确定相关参数，生产制造测试样品并用透射电子显微镜研究制造的低温 CMOS 器件横截面结构。相关数据总结为xlsx以及png文件。在获取 CMOS 器件在温度区间内的射频实验数据值时，采用扎针进行标准的 SOLT（Short-Open-Load-Through）校准方法，有效去除了仪表、线缆和探针的寄生参数，确保了数据的准确性和可靠性。借助工业标准射频电路设计软件 Advanced Design System（ADS），辅助计算最大功率增益 MSG/MAG 并提取最大工作频率 fmax。该数据集依托低温探针台和射频 GSG 探针，全面记录了在不同温度条件下器件的多项关键观测值，包括 S 参数、正向电流增益 H21、最大单边增益 UMAX、截止频率 fT 和最大震荡频率 fmax 等。原始数据以 s2p 以及 mdl 文件的形式呈现，经过严谨的数值处理后，最终转化为便于使用和分析的 xlsx 与 jpg 文件。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集针对低温CMOS器件及射频电路设计优化需求，通过TCAD仿真和实验测试，提供了关键工艺参数和电学性能数据，包括S参数、截止频率等。数据以s2p、xlsx、jpg等多种格式呈现，支持低温电子学领域的研究与应用。