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高功率多结VCSEL阵列芯片研制数据集

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国家基础学科公共科学数据中心2026-03-14 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=69a5b45e195d261dfe791b70&type=1
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资源简介:
该数据集主要是对课题1“高功率多结VCSEL阵列芯片”性能指标测试数据进行全面的记录,包括测试指标内容和测试结果记录。具体数据内容主要包含所研制的“高功率多结VCSEL阵列芯片”六个指标:电光转化效率,斜率效率,发散角全角,输出光功率,阵列发光一致性,波长温漂的测试方法、测试步骤、判断标准以及测试结果。数据文件主要包括高功率多结VCSEL阵列芯片六个指标性能测试-课题1中期测试数据文档;高功率多结VCSEL阵列芯片六个指标性能测试-课题1结项测试数据文档。
提供机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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