雪崩光电二极管（APD）测试数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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资源简介：
锗硅APD的优化与调制器类似，主要通过结构与掺杂来实现。结构优化包括了波导的宽度，长度以及锗生长的厚度；掺杂优化主要涉及浓度与PN结的位置。优化后的锗硅APD在20V偏压的条件下，增益接近10dB，响应度可以达到10A/W，暗电流小于2µA，可以满足该研究需求的灵敏度<-26dBm。
提供机构：
武汉科宇智联信息技术有限公司
