ОБНАРУЖЕНИЕ НЕЯВНОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В КРИСТАЛЛЕ ДОДЕКАБОРИДА HoB12 ПРИ 200К

В сильно коррелированных электронных системах наиболее значительные изменения физических свойств наблюдаются вблизи квантовых критических точек 1 и при переходах металлизолятор 2, обычно при температурах жидкого гелия. Актуальной задачей (для потенциального практического применения) является поиск объектов, которые проявляют аномалии при условиях, близких к нормальным. Цель работы состояла в проведении мультитемпературного рентгеноструктурного исследования кристалла HoB12, в моделировании динамики параметров атомных смещений (ADP, Ueq), в определении характеристических параметров фононного спектра и в поиске возможных аномалий.