通过电场实现磁性纳米点中斯格明子数量的可控切换数据集

磁性斯格明子是一种拓扑涡旋自旋结构，有望用于构建未来的磁性存储器与逻辑电路。当前的斯格明子器件通常依赖于对单个斯格明子的电操控，然而若能可控地操纵一组斯格明子，则有望实现更高集成度、更高存储效率的器件。本文报道了在纳米结构铁磁/铁电多铁异质结中，通过电场驱动斯格明子团簇发生级联转变，从而能够以逐一递增或递减的方式，实现斯格明子数目的连续多级调控。尤为重要的是，该转变具备非易失性与可逆性，这对多比特存储应用至关重要。结合实验与理论模拟发现，斯格明子团簇的切换是由应变调控界面 Dzyaloshinskii–Moriya 相互作用及有效单轴各向异性的变化所诱导。该研究不仅为构建低功耗、非易失、多比特的斯格明子器件开辟了新方向，也为理解斯格明子团簇的电压调控基础物理提供了重要依据。