基于XRD实验的HZO电容器循环过程中的相变路径

在HfxZr1-xO2薄膜中，反铁电性到铁电性（AFE-FE）特性的特殊唤醒效应已被广泛讨论，主要集中于耐久性性能的增强。然而，其物理起源及其对耐久性的普遍影响仍不清楚。在本数据集中，测试了不同工艺参数对AFE-FE唤醒效应以及耐久性性能的影响，以及在AFE-FE唤醒过程中材料的变化。测试显示，各种参数以相似方式诱导AFE-FE唤醒效应，并增强HfxZr1-xO2薄膜中四方相的形成，而唤醒的周期普遍与整体耐久性相关。此外，通过同步辐射基础的掠入射X射线衍射测试，在AFE-FE唤醒过程中观察到四方相与正交-单斜相的相变。该数据集为通过晶体相变实现HfxZr1-xO2铁电存储器件的高耐久性提供了重要的数据支撑。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集基于X射线衍射（XRD）实验，研究了HZO电容器在循环过程中的相变路径，重点关注反铁电性到铁电性（AFE-FE）唤醒效应及其对耐久性的影响。实验分析了不同工艺参数下四方相与正交-单斜相之间的相变行为，为理解铪基铁电存储器的高耐久性机制提供了关键数据支撑。