六英寸碳化硅晶圆材料XRD半高宽、电阻率及表面粗糙度性能数据集

本数据集主要包括6英寸碳化硅晶圆材料XRD半高宽、电阻率及表面粗糙度的相关研究数据。通过对晶体生长过程中的热场结构进行调整，优化温场分布，提高碳化硅晶体质量， 将半高宽降低到20弧秒以下；通过研究温场和气流场均匀性对杂质掺杂的影响规律，实现杂质和本征点缺陷均匀分布，提高电阻率的均匀性，并将电阻率提升至1×10^12 Ω·cm量级；优化碳化硅晶圆制备工艺，将表面粗糙度降低至0.11 nm以下。本数据集内容包括实验数据、第三方检测报告。