基于TSMC40nmGP工艺的片上无源器件
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=6845818f195d262d3d61266c&type=1
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资源简介：
该数据集为验证片上多层慢波线的品质因数Q（@高于120GHz频率）高于20和基于多层慢波线设计的环形耦合器占用芯片面积与现有结构面积之比不高于0.5的佐证材料。内容为多层慢波线和环形耦合器的芯片版图，多层慢波线的S参数测试结果等。子文件夹多层慢波线电路版图与检查结果和多层慢波线品质因数Q测试数据属于片上多层慢波线的特征说明，子文件夹环形耦合器电路版图与检查结果和环形耦合器面积占比是片上环形耦合器的特征说明，环形耦合器是基于片上多层慢波线所提出的创新结构。数据量约为1.03MB。
提供机构：
东南大学
