各向异性磁电阻(AMR)材料及抗辐照性能的研究

本数据集主要涉及吸氧性插层对Ta/Oxide/NiFe/Oxide/Ta薄膜的NiFe/Oxide界面处电子结构及薄膜的电输运性能的影响研究，收集了材料制备加工工艺、薄膜结构、界面电子结构、电输运性能之间的内在关系的数据，数据量119 MB。
数据集内包含任务书中与各向异性磁电阻材料电输运性能相关的研究内容、1个第三方测试报告、测试视频、1个论文、3个专利的原始及衍生数据。织构类型对各向异性磁电阻薄膜电输运性能影响研究数据，于2022.9-2022.12采集，地点为北京科技大学、北京师范大学、合肥同步辐射实验室；Hf插层对各向异性磁电阻薄膜抗辐照性能影响研究数据，于2022.9-2022.12采集，地点为北京科技大学、北京师范大学、合肥同步辐射实验室；第三方测试数据，于2024.1采集，地点为中国计量科学研究院；测试视频，于2024.1采集，地点为中国计量科学研究院；论文数据，于2022.9-2022.12采集，地点为北京科技大学、北京师范大学、合肥同步辐射实验室；专利数据，于2022.1-2022.5、2024.3采集，采集地点为北京科技大学、季华实验室。
以上数据的获得借助于但不局限于以下手段：纳伏表、直流源表、亥姆霍兹线圈、X射线光电子能谱仪、透射电子显微镜、束线探测仪。