ОСОБЕННОСТИ ВЛИЯНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА РЕАЛЬНУЮ СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА TGS:Cr («ШКОЛА»)

В работе исследовано влияние постоянного магнитного поля на диэлектрические свойства сегнетоэлектрика, его доменную структуру и состояние дефектов. Изучался монокристалл триглицинсульфата со специально введенной примесью хрома (TGS:Cr). Образцы выдерживались в постоянном магнитном поле B2 Тл в течении 20 минут. Направление вектора магнитной индукции B было перпендикулярно оси спонтанной поляризации Y. Исследовались две ориентации кристалла в магнитном поле BX и BZ. Контроль диэлектрических свойств осуществлялся посредством измерения PE петель диэлектрического гистерезиса и температурной зависимости диэлектрической проницаемости (T) вблизи фазового перехода. Исследования доменной структуры и топографии поверхности свежих сколов (010) проводились методами пьезоэлектрического отклика (ПСМ) и атомносиловой микроскопии (АСМ). Обнаружено существенное изменение свойств исследуемых образцов после экспозиции в магнитном поле. Максимальное значение диэлектрической проницаемости вблизи фазового перехода возрастало на 27 через сутки после магнитного воздействия, а возврат к исходному значению происходил через 10 суток.