Исследование микротвердости и трещиностойкости эпитаксиальных слоёв α-Ga2O3

Объёмные кристаллы и эпитаксиальные слои полупроводникового оксида галлия (Ga2O3) вызывают большой интерес у исследователей благодаря их заметной электропроводности при том, что ширина запрещенной зоны основных его политипов (, и ) находится в диапазоне 5,2 4,7 эВ 1,2, т.е. глубокого ультрафиолета. Все еще остаются малоизученными его механические свойства (микротвердость, модуль упругости, сопротивление истиранию и распространению трещин, и т.д.), которые могут быть использованы при создании электронных устройств на основе Ga2O3. Например, данные знания могут быть весьма полезными для оптимизации процессов роста объемных кристаллов и тонких слоев, для выбора абразивного материала и режима механической обработки (шлифование и полировка подложек и слоев для нанесения последующего покрытия).