Fils GaN MQWs
收藏ESRF Portal2027-01-01 更新2026-04-23 收录
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https://doi.esrf.fr/10.15151/ESRF-ES-1890508465
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资源简介：
Exploration of strain and XEOL of different nanowires from the same growth and stochastic growth. The impact of structural defects (etched sides, growth morphology, dislocations, relaxations) on luminescence of the MQW will be quantified.
提供机构：
CEA Grenoble - INAC,SP2M/IRS,17 rue des Martyrs,38054 GRENOBLE,FRANCE,38054,GRENOBLE,FRANCE; CEA - GRENOBLE,DEPHY/MEM/NRX,17 Rue des Martyrs,38000 GRENOBLE 09,FRANCE,38000,GRENOBLE,FRANCE; CEA Grenoble - IRIG,SyMMES / STEP,DIESE,17, rue des Martyrs,38054 GRENOBLE 9,38054,GRENOBLE,FRANCE; CEA Grenoble - INAC,SP2M/NRS,17 rue des Martyrs,38054 GRENOBLE Cedex 9,FRANCE,38054 ,GRENOBLE,FRANCE
创建时间：
2027-01-01
