单层Si9C15二维原子晶体材料构筑和研究数据集

利用分子束外延技术在金属单晶表面成功构筑Si9C15二维原子晶体材料，证实其为一种新型碳化硅半导体。利用STM，XPS表征结构及成分。报道了在Ru（0001）和Rh（111）基底上合成原子单层Si9C15。扫描隧道显微镜（STM）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描透射电子显微镜（STEM）和密度泛函理论（DFT）计算的结合用于推断Si9C15的二维晶格是弯曲的蜂窝结构。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了利用分子束外延技术在金属单晶表面成功构筑的单层Si9C15二维原子晶体材料，证实其是一种新型碳化硅半导体。通过扫描隧道显微镜、X射线光电子能谱、扫描透射电子显微镜和密度泛函理论计算等多种表征手段，揭示了其二维晶格为弯曲蜂窝状结构。数据集包含104个文件，总数据量约192.76 MB。