一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方 法
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资源简介：
本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器
及其制备方法，该POI衬底的制备方法包括以下
步骤：获取重掺杂SiC衬底和压电衬底；对重掺杂
SiC衬底进行多次H离子注入，在重掺杂SiC衬底
中形成富H层，获得含富H层的重掺杂SiC衬底；其
中，每次注入H离子的能量不同；对含富H层的重
掺杂SiC衬底进行退火处理；对压电衬底进行离
子注入，在压电衬底的设定深度位置形成缺陷
层，获得含缺陷层的压电衬底；将含富H层的重掺
杂SiC衬底的注入面和含缺陷层的压电衬底的注
入面进行键合，获得键合结构；对键合结构进行
退火剥离处理，使得含缺陷层的压电衬底部分被
剥离，形成含压电薄膜的键合结构；
提供机构：
上海微系统与信息技术研究所
创建时间：
2023-05-23
