新型SOT-MRAM器件隧穿磁电阻（TMR）比值测量数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-03-28 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=69bec091bb16e02c49cd82da&type=1
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资源简介：
该数据集新型SOT-MRAM器件具备高灵敏度、高信噪比的读取能力，有利于在神经形态计算或存储器应用中实现可靠的状态识别与高密度集成。SOT-MRAM器件TMR不低于100%。测量器件不同状态的阻值，得到高阻态 Rap 以及低阻态 Rp，隧穿磁电阻比值定义为（Rap/Rp-1）。
提供机构：
北京大学
