漏电机制分析数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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https://www.nbsdc.cn/general/dataDetail?id=64ef8449bb16e0591d025036&type=1
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资源简介:
本数据集为对样品进行的漏电机制分析数据结果。数据集中包括以下内容:
1文章“Surface functionalization toward top-gated monolayer MoS2 field-effect transistors with ZrO2/Al2O3 as composite dielectrics” 中样品的漏电机制分析结果。
2文章“ZnO-Based Ultraviolet Photodetectors with Tunable Spectral Responses”中样品的漏电机制分析结果。
3文章“Highly flexible, stable and transparent capacitors with enhanced performances by composite electrodes of AZO and metallic nanomeshes”中样品的漏电机制分析结果。
4文章“van der Waals integration of AZO/MoS2 ohmic junctions toward high-performance transparent 2D electronics” 中样品的漏电机制分析。
5文章“Optimizing endurance performance of Ga2O3 random resistive access memories by altering oxygen vacancy content” 中样品的漏电机制分析。
提供机构:
武汉大学



